近日，從國內媒體處獲悉，比亞迪半導體于近期全新推出1200V 1040A SiC功率模塊，相較于市場主流的SiC功率模塊，1200V 1040A SiC功率模塊成功克服了模塊空間限制的難題，在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率大幅提升了近30%，主要應用于新能源汽車電機驅動控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設計、高散熱設計及車規(guī)級驗證等技術難題，充分發(fā)揮了 SiC 功率器件的高效、高頻、耐高溫優(yōu)勢，后續(xù)也將匹配更高功率新能源汽車平臺應用，充分發(fā)揮其大功率優(yōu)勢。

　　據(jù)悉，1200V 1040A SiC功率模塊采用雙面燒結工藝，具備更出色的工藝優(yōu)勢和可靠性。

　　芯片下表面燒結工藝，連接層導熱率與可靠性提高：

　　SiC MOSFET芯片下表面采用燒結工藝，相比傳統(tǒng)焊接工藝模塊，連接層導熱率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上。

　　 芯片上表面燒結工藝，提升模塊工作結溫：

　　芯片上表面采用燒結工藝，因燒結層具有的高耐溫特性，SiC 模塊工作結溫可提升至175℃，試驗證明，其可靠性是傳統(tǒng)工藝的4倍以上。

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關鍵詞：模塊,功率,工藝,SiC,可靠性