近日,理想汽車(chē)官方宣布,其功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地在江蘇蘇州高新區(qū)正式啟動(dòng)建設(shè),主要專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅車(chē)規(guī)功率模塊的自主研發(fā)及生產(chǎn),打造汽車(chē)專用功率模塊的自主設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造能力。預(yù)計(jì)產(chǎn)線將在2024年投產(chǎn),計(jì)劃產(chǎn)能可達(dá)240萬(wàn)只碳化硅半橋功率模塊。
碳化硅功率半導(dǎo)體屬于第三代半導(dǎo)體,對(duì)比目前較為普及的硅材料功率半導(dǎo)體器件,具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷頻率高、損耗低等優(yōu)點(diǎn),更適合應(yīng)用在目前更被看好的800V高壓電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,以及配套的1000V高壓直流快充。
『SiC功率半導(dǎo)體器件』
據(jù)悉,理想汽車(chē)功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地由理想汽車(chē)與湖南三安半導(dǎo)體共同出資組建的蘇州斯科半導(dǎo)體公司打造,預(yù)計(jì)2022年內(nèi)竣工后進(jìn)入設(shè)備安裝和調(diào)試階段,2024年正式投產(chǎn)。理想汽車(chē)聯(lián)合創(chuàng)始人兼總裁沈亞楠表示,自主研發(fā)和生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體碳化硅車(chē)規(guī)功率模塊,將有助于確立理想汽車(chē)的技術(shù)和產(chǎn)品領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),同時(shí)有效確保量產(chǎn)供應(yīng)。
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